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J-GLOBAL ID:201303013883751771

金属配線形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 上島 淳一
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2006214473
Publication number (International publication number):2008041938
Patent number:4997548
Application date: Aug. 07, 2006
Publication date: Feb. 21, 2008
Claim (excerpt):
【請求項1】 絶縁体の表面に金属配線を形成する金属配線形成方法において、 レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光またはフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を、前記レーザー光の波長に対して透明かつ0.05〜0.15%の銀イオンを含有する絶縁体の表面に照射し、前記レーザー光で前記絶縁体の該照射領域において多光子吸収を発生させることにより、該照射領域にダメージを生じさせることなく、該照射領域において銀イオンを銀原子に還元して該照射領域に銀原子を生成し、 前記レーザー光を照射されて該照射領域に銀原子が生成された前記絶縁体を所定の温度に維持した無電解めっき液に所定時間浸し、該銀原子を触媒核として金属を析出させることにより前記絶縁体に金属膜を堆積して、前記絶縁体に対して高い密着性を有する金属配線を該照射領域のみに選択的に形成する ことを特徴とする金属配線形成方法。
IPC (8):
H01L 21/288 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  C23C 18/18 ( 200 6.01) ,  C23C 18/38 ( 200 6.01) ,  H05K 3/10 ( 200 6.01) ,  H05K 3/18 ( 200 6.01)
FI (7):
H01L 21/288 E ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/88 B ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/38 ,  H05K 3/10 C ,  H05K 3/18 B
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (4)
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