半導体ナノ粒子及びその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人アイテック国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007533281
Patent number：5162742
Application date： Aug. 30, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】Agの塩とInの塩と硫黄を配位元素とする配位子とを混合することにより錯体とし、該錯体を100〜300°Cの範囲で設定された温度で加熱することにより熱処理物とし、該熱処理物を炭素数4〜20の炭化水素を有するアルキルアミン又はアルケニルアミンと共に100〜300°Cの範囲で設定された温度で加熱することにより得られる、常温で発光する平均粒径20nm以下の半導体ナノ粒子。

IPC (2)：

C09K 11/62 ( 200 6.01) , C09K 11/08 ( 200 6.01)

FI (2)：

C09K 11/62 CPC , C09K 11/08 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体ナノ粒子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-265277 Applicant：三菱化学株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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