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J-GLOBAL ID：201303014608861873

炭素含有率取得装置および炭素含有率取得方法

Inventor： 藤原 裕之 ,  山口 真二 ,  杉本 克雄
Applicant, Patent owner： 大日本スクリーン製造株式会社 ,  国立大学法人岐阜大学
Agent (3)： 松阪 正弘 ,  田中 勉 ,  井田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012037160
Publication number (International publication number)：2013171023
Application date： Feb. 23, 2012
Publication date： Sep. 02, 2013
Summary：

【課題】a-SiC:H膜の炭素含有率を容易に取得する。【解決手段】炭素含有率取得装置1は、分光エリプソメータを備え、記憶部74に予め誘電関数モデル743が記憶される。誘電関数モデル743は、a-SiC:H膜の炭素含有率が低い場合に利用される低炭素誘電関数モデルと、炭素含有率が高い場合に利用される高炭素誘電関数モデルとを含む。誘電関数モデルは、有効媒質近似を利用し、炭素含有率をパラメータとして含む。分光エリプソメータによりa-SiC:H膜の誘電関数の虚部が取得されると、含有率演算部部73が誘電関数モデルにおいて炭素含有率の値を変化させることにより、測定された誘電関数に誘電関数モデルが最も合う炭素含有率が、当該a-SiC:H膜の炭素含有率として求められる。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

対象物上に形成されたa-SiC:H膜の炭素含有率を取得する炭素含有率取得装置であって、 分光エリプソメータと、 a-SiC:H膜の炭素含有率と水素含有率との関係を利用して、a-SiC:H膜の炭素含有率と、基準誘電関数の虚部における振幅のシフト量および波長のシフト量とを関連付ける誘電関数モデルを記憶する記憶部と、 前記分光エリプソメータにて対象物上のa-SiC:H膜に対して測定を行うことにより取得された誘電関数の虚部の、前記基準誘電関数の虚部に対する振幅のシフト量および波長のシフト量から、前記誘電関数モデルを利用して前記a-SiC:H膜の炭素含有率を求める含有率演算部と、 を備えることを特徴とする炭素含有率取得装置。

IPC (1)：

G01N 21/21

FI (1)：

G01N21/21 Z

F-Term (12)：

2G059AA01 ,  2G059BB10 ,  2G059BB16 ,  2G059CC01 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059EE12 ,  2G059HH01 ,  2G059JJ19 ,  2G059MM01 ,  2G059MM04 ,  2G059MM12