Pat
J-GLOBAL ID:201303018998663592
原子捕捉装置および原子捕捉方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2009015252
Publication number (International publication number):2010177249
Patent number:5096384
Application date: Jan. 27, 2009
Publication date: Aug. 12, 2010
Claim (excerpt):
【請求項1】 超伝導材料から構成されて平板状に形成された捕捉部と、
この捕捉部を超伝導転移温度以下に冷却する冷却手段と、
前記捕捉部に均一な磁場を印加する磁場印加手段と
を少なくとも備え、
前記磁場印加手段は、前記捕捉部の平面に対して垂直から45°の範囲の中より選択したいずれかの角度の方向に磁場を印加することを特徴とする原子捕捉装置。
IPC (2):
H01L 39/22 ( 200 6.01)
, B82B 3/00 ( 200 6.01)
FI (2):
H01L 39/22 ZAA D
, B82B 3/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
原子捕捉素子及び原子捕捉方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-011432
Applicant:日本電信電話株式会社
-
中性原子のトラップ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-061964
Applicant:独立行政法人情報通信研究機構
Return to Previous Page