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J-GLOBAL ID：200903026611129194

原子捕捉素子及び原子捕捉方法

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Inventor： 向井 哲哉 ,  仙場 浩一 ,  清水 富士夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007011432
Publication number (International publication number)：2008173745
Application date： Jan. 22, 2007
Publication date： Jul. 31, 2008
Summary：

【課題】配線が配置された基板表面近傍においても、原子の強い閉じ込めを安定した状態でできるようにする。【解決手段】まず、冷却部171により、原子捕捉素子を上記Tc以下まで冷却し、次に、レーザ照射部162からのレーザ照射により、加熱領域152を加熱して上記Tc以上にまで昇温し、当該部分を常伝導状態とする。次に、原子を捕捉しているQMT173を、原子捕捉素子の捕捉領域151の上に移動させ、この状態で、端子131及び端子132の間に電流を流して超伝導開回路103に電流が流れた状態とし、加えて、外部磁場発生部160より磁場161を発生させて捕捉領域151に外部からバイアス磁場が印加された状態とする。次に、レーザ照射部162からのレーザ照射を停止し、加熱領域152の加熱状態を停止し、超伝導閉回路102の全体が超伝導(超伝導閉回路)にされた状態とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板の上に形成されて超伝導電流が流れる超伝導閉回路と、 前記超伝導閉回路に前記超伝導電流を流す超伝導電流生成手段と、 前記超伝導閉回路の一部に設けられて第1方向に延在し、前記超伝導電流による第1磁場を生成する第1配線部と、 少なくとも前記第1磁場及び前記第1磁場とは異なる方向の第2磁場から形成され、前記第1配線部の上部に形成される磁場ポテンシャルの極小点を備えた不均一な磁場から構成された原子捕捉手段と を備えることを特徴とする原子捕捉素子。

IPC (2)：

B82B 3/00 ,  H01L 39/22

FI (2)：

B82B3/00 ,  H01L39/22 D

F-Term (5)：

4M113AD36 ,  4M113AD47 ,  4M113AD51 ,  4M113BA14 ,  4M113CA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-279494
  
• 特開平2-168814
  
• 中性原子のトラップ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-061964   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• Superconducting Magnetic Atom Chip
• 超伝導磁気トラップによる量子演算の研究
• Realization of a Superconducting Atom Chip
• Microscopic magnetic traps for nuetral atoms