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J-GLOBAL ID：201303019787702156

アクティブゲート回路

Inventor：
中島 達人

About 中島 達人

, 
田中 俊輔

About 田中 俊輔

, 
菅野 純弥

About 菅野 純弥


Applicant, Patent owner：
東京電力株式会社

About 東京電力株式会社


Agent (1)： 三谷 惠
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008017341
Publication number (International publication number)：2009183017
Patent number：5200559
Application date： Jan. 29, 2008
Publication date： Aug. 13, 2009
Claim (excerpt)：
【請求項1】 電力変換器のレグを形成する1対のアームのそれぞれが還流ダイオードを逆並列接続した半導体スイッチング素子で形成され、前記半導体スイッチング素子のターンオフまたはターンオン時に前記半導体スイッチング素子のコレクタ・エミッタ間電圧やコレクタ電流に基づいて前記コレクタ・エミッタ間電圧の上昇を抑制するように前記半導体スイッチング素子のゲート電流を調整するアクティブゲート回路において、一対のアームのうちの一方のアームの半導体スイッチング素子のターンオン時に他方のアームの還流ダイオードのリカバリ電圧の過電圧を抑制するように一方のアームの半導体スイッチング素子のゲート電流を調整するリカバリ過電圧抑制手段を備え、前記リカバリ過電圧抑制手段は、他アームの還流ダイオードのリカバリ電圧が一定の閾値を超えたとき、閾値との偏差にゲインを掛けてゲート電流調整電流値を決め、ゲート駆動回路からのゲート電流指令値の絶対値からゲート電流調整電流値を減じてゲート電流を調整することを特徴とするアクティブゲート回路。
IPC (5)：
H02M 1/08 ( 200 6.01) ,  H02M 7/5387 ( 200 7.01) ,  H02M 1/00 ( 200 7.01) ,  H03K 17/56 ( 200 6.01) ,  H03K 17/08 ( 200 6.01)
FI (5)：
H02M 1/08 A ,  H02M 7/538 A ,  H02M 1/00 F ,  H03K 17/56 Z ,  H03K 17/08 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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