半導体素子の駆動装置ならびにそれを用いた電力変換装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002012285
Publication number (International publication number)：2003218675
Application date： Jan. 22, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】半導体素子が導通,遮断する過渡期に発生する過電圧を小型の素子により低損失かつ高精度に抑制可能で、集積回路化が可能な半導体素子の駆動装置ならびにそれを用いた小型で低損失の電力変換装置を提供する。【解決手段】半導体素子の駆動装置に、電圧サージ抑制時に、制御端子に流れる電流を制限する要素と、主半導体素子の遮断時に制御端子の電圧を放電する回路に流れる電流を制限する要素と、前記電流により駆動回路内で発生する損失を低減する要素を設ける。さらに前記の駆動装置で高精度に過電圧を抑制し、駆動される主半導体装置の耐電圧を最適化して電力変換装置の損失を低減する。

Claim (excerpt)：

第1の電源に接続されて主電流の入出力にかかわる第1の端子と、第2の端子と、制御端子とを備えた主半導体素子の駆動装置であって、主電流の導通及び遮断を入力信号に応じて制御し、主電流の導通及び遮断時に発生する過電圧サージを抑制する駆動装置において、前記サージ電圧の抑制時に、前記制御端子に流れる電流を制限する要素と、前記主半導体素子の遮断時に制御端子の電圧を放電する回路に流れる電流を制限する要素と、前記電流により駆動回路内で発生する損失を低減する要素とを備えたことを特徴とする半導体素子の駆動装置。

IPC (4)：

H03K 17/16 , H02M 1/00 , H02M 1/08 , H03K 17/695

FI (4)：

H03K 17/16 M , H02M 1/00 F , H02M 1/08 C , H03K 17/687 B

F-Term (33)：

5H740BA12 , 5H740HH05 , 5H740KK01 , 5H740MM02 , 5J055AX12 , 5J055AX23 , 5J055AX44 , 5J055AX47 , 5J055AX64 , 5J055BX16 , 5J055CX07 , 5J055CX13 , 5J055CX20 , 5J055DX13 , 5J055DX22 , 5J055EX01 , 5J055EX02 , 5J055EY01 , 5J055EY02 , 5J055EY10 , 5J055EY12 , 5J055EY13 , 5J055EY17 , 5J055EY23 , 5J055EZ02 , 5J055EZ03 , 5J055EZ07 , 5J055EZ10 , 5J055EZ25 , 5J055FX31 , 5J055GX01 , 5J055GX04 , 5J055GX06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-074843 Applicant：富士電機株式会社
電圧駆動形素子の駆動方法及びその回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-073081 Applicant：株式会社日立製作所
半導体素子の駆動装置及びその制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-027319 Applicant：株式会社日立製作所

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