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J-GLOBAL ID：201303027218378750

熱電半導体

Inventor： 村井 盾哉 ,  大川内 義徳
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社アドマテックス
Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  堂垣 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012014670
Publication number (International publication number)：2013157362
Application date： Jan. 26, 2012
Publication date： Aug. 15, 2013
Summary：

【課題】高い電気伝導率σを可能とし、高い性能指数を有する熱電変半導体の提供。【解決手段】母材を構成する母材元素と、前記母材元素の原子半径の1.09倍以上の原子半径を有するドーパント元素と、を含むことを特徴とする。この様に構成すると、ドープされる元素の原子半径が大きいので、母材構成元素と原子置換されない。これにより、従来型の熱電半導体においてドーパントが母材構成元素と置換されて生じていた、キャリア散乱の頻度が減少する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

母材を構成する母材元素と、 前記母材元素の原子半径の1.09倍以上の原子半径を有するドーパント元素と、 を含むことを特徴とする、熱電半導体。

IPC (2)：

H01L 35/16 ,  H01L 35/34

FI (2)：

H01L35/16 ,  H01L35/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 熱電材料及びそれを用いた熱電モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-140982   Applicant：株式会社小松製作所
• P型熱電材料およびP型熱電材料用合金
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-002531   Applicant：アイシン精機株式会社
• 特開平4-122079