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J-GLOBAL ID：201303037681060757

散乱型近接場顕微鏡

Inventor： 田口 敦清 ,  早澤 紀彦 ,  齊藤 結花 ,  河田 聡
Applicant, Patent owner： ナノフォトン株式会社
Agent (2)： 家入 健 ,  岩瀬 康弘
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007332046
Publication number (International publication number)：2009156602
Patent number：5256433
Application date： Dec. 25, 2007
Publication date： Jul. 16, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 励起レーザとチップ増強ラマンプローブとを有する散乱型近接場顕微鏡であって、 前記チップ増強ラマンプローブは、 Siからなる中心層と、SiO2からなる中間層と、金属からなる表面層との3層構造を有し、 前記中心層と前記中間層の厚さの比は、該プローブのプラズモン共鳴波長と前記励起レーザの波長とが等しくなるような比である、 散乱型近接場顕微鏡。

IPC (3)：

G01Q 60/18 ( 201 0.01) ,  G01Q 60/22 ( 201 0.01) ,  G01N 21/27 ( 200 6.01)

FI (4)：

G01Q 60/18 ,  G01Q 60/22 101 ,  G01N 21/27 C ,  G12B 1/00 601 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平3-075501
  
• 散乱型近接場顕微鏡
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-267418   Applicant：河田聡
• SPMカンチレバー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-163781   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 近接場顕微鏡用プローブおよびその製造方法ならびにそのプローブを用いた走査型プローブ顕微鏡
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-255133   Applicant：エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社, 独立行政法人理化学研究所

Cited by examiner (6)

• 近接場顕微鏡用プローブおよびその製造方法ならびにそのプローブを用いた走査型プローブ顕微鏡
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-255133   Applicant：エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社, 独立行政法人理化学研究所
• 特開平3-075501
  
• 特開平3-075501
  
• 散乱型近接場顕微鏡
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-267418   Applicant：河田聡
• SPMカンチレバー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-163781   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 特開平3-075501