有機薄膜トランジスタの評価方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：松井茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011132799
Publication number (International publication number)：2013004637
Application date： Jun. 15, 2011
Publication date： Jan. 07, 2013
Summary：

【課題】処有機薄膜トランジスタのチャネル領域の電荷状態の微視的様相を観測でき、電荷トラップなどの欠陥による電荷密度の変化を捉えることが可能な、有機薄膜トランジスタの評価方法を提供する。【解決手段】基板上にゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜層と、有機半導体層とを備え、前記電極を介して印加する電圧によって該電極で画されたチャネル領域の電荷状態が制御を受ける薄膜トランジスタの評価方法であって、前記電極を通じて矩形波または正弦波により時間振動する変調電圧を印加するとともに、前記チャネル領域にレーザー光を照射してその透過光を得、前記変調電圧の高電圧時における透過光強度(T)と、該透過光強度(T)から前記変調電圧の低電圧時における透過光強度を差し引いた値(ΔT)を測定して、それらの値(TとΔT)に基づいて前記チャネル領域の電荷密度分布を求める。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板上にゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜層と、有機半導体層とを備え、前記電極を介して印加する電圧によって該電極で画されたチャネル領域の電荷状態が制御を受ける薄膜トランジスタの評価方法であって、前記電極を通じて矩形波または正弦波により時間振動する変調電圧を印加するとともに、前記チャネル領域にレーザー光を照射してその透過光を得、前記変調電圧の高電圧時における透過光強度(T)と、該透過光強度(T)から前記変調電圧の低電圧時における透過光強度を差し引いた値(ΔT)を測定して、それらの値(TとΔT)に基づいて前記チャネル領域の電荷密度分布を求めることを特徴とする有機薄膜トランジスタの評価方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (4)：

H01L29/78 624 , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/28 100A

F-Term (26)：

5F110AA24 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

多層構造を有する素子、その素子の製造装置、及びその素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-104690 Applicant：松下電器産業株式会社
膜厚測定方法ならびにその方法を用いた膜厚計
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-284132 Applicant：脇田昭平
圧力センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-377071 Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Visualization of accumulated charge density in operating organicthin-film transistors

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