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J-GLOBAL ID：201303049289413020

半導体ヘテロ粒子およびその製造方法

Inventor：
毛利 登美子

About 毛利 登美子

, 
森川 健志

About 森川 健志

, 
田中 洋充

About 田中 洋充

, 
梶野 勉

About 梶野 勉


Applicant, Patent owner：
株式会社豊田中央研究所

About 株式会社豊田中央研究所


Agent (1)： 特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012281344
Publication number (International publication number)：2013150972
Application date： Dec. 25, 2012
Publication date： Aug. 08, 2013
Summary：
【課題】2種類の異なる半導体粒子を備えており、溶液系電子メディエーターを使用せず、比較的広いpH範囲で光触媒機能が発現する半導体ヘテロ粒子を提供すること。【解決手段】第1の半導体粒子2aと第2の半導体粒子2bと金属粒子3と有機基1とを備えており、 前記第1の半導体粒子2aの伝導帯下端の電位が前記第2の半導体粒子2bの価電子帯上端の電位よりネガティブであり、 前記金属粒子3が前記第1および第2の半導体粒子2a、2bのうちの一方の半導体粒子に接合しており、 前記有機基1が前記第1および第2の半導体粒子2a、2bのうちの他方の半導体粒子に結合しており、 前記有機基1が金属結合官能基を有しており且つ該金属結合官能基が前記金属粒子3と結合している、ことを特徴とする半導体ヘテロ粒子。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1の半導体粒子と第2の半導体粒子と金属粒子と有機基とを備えており、 前記第1の半導体粒子の伝導帯下端の電位が前記第2の半導体粒子の価電子帯上端の電位よりネガティブであり、 前記金属粒子が前記第1および第2の半導体粒子のうちの一方の半導体粒子に接合しており、 前記有機基が前記第1および第2の半導体粒子のうちの他方の半導体粒子に結合しており、 前記有機基が金属結合官能基を有しており且つ該金属結合官能基が前記金属粒子と結合している、ことを特徴とする半導体ヘテロ粒子。
IPC (6)：
B01J 35/02 ,  B01J 31/38 ,  B01J 31/36 ,  B01J 31/34 ,  B01J 31/28 ,  C01B 3/04
FI (6)：
B01J35/02 J ,  B01J31/38 M ,  B01J31/36 M ,  B01J31/34 M ,  B01J31/28 M ,  C01B3/04 A
F-Term (41)：
4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA04B ,  4G169BA21B ,  4G169BA48 ,  4G169BB04B ,  4G169BB06B ,  4G169BB11B ,  4G169BC09B ,  4G169BC25B ,  4G169BC31B ,  4G169BC33B ,  4G169BC35B ,  4G169BC54B ,  4G169BC56B ,  4G169BC60B ,  4G169BC66B ,  4G169BC72B ,  4G169BC75B ,  4G169BD06B ,  4G169BE14B ,  4G169BE21B ,  4G169BE32B ,  4G169CC33 ,  4G169DA05 ,  4G169EA02Y ,  4G169EB18Y ,  4G169FA01 ,  4G169FA02 ,  4G169FB06 ,  4G169FB07 ,  4G169FB14 ,  4G169FB17 ,  4G169FB20 ,  4G169FB30 ,  4G169HA01 ,  4G169HB01 ,  4G169HB06 ,  4G169HC06 ,  4G169HD02 ,  4G169HE09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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