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J-GLOBAL ID：201303050249030118

酸化ガリウム単結晶、及び、酸化ガリウム単結晶基板

Inventor： 会田 英雄 ,  西口 健吾 ,  小山 浩司 ,  池尻 憲次朗 ,  中村 元一
Applicant, Patent owner： 並木精密宝石株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012117108
Publication number (International publication number)：2013241316
Application date： May. 23, 2012
Publication date： Dec. 05, 2013
Summary：

【課題】膜を作製することができるLEPS法を行うのに好適な凹凸が表面に形成されたGa2O3基板を低コストで提供すること、および、そのために必要な転位を含んだ酸化ガリウム単結晶を提供する。【解決手段】酸化ガリウム単結晶13は、転位密度が1×106〜3×107個/cm2である。酸化ガリウム単結晶13は、EFG法によって製造され、その引き上げ方向に沿った転位が存在する。酸化ガリウム単結晶13のネック部13aは、0.4〜1.3mmである。酸化ガリウム単結晶基板21は、酸化ガリウム単結晶13からなり、その表面にエッチングが施され、転位が存在する箇所に溝状のエッチピットが生じることで、基板表面に凹凸が形成されている。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

転位密度が1×106〜3×107個/cm2である、ことを特徴とする酸化ガリウム単結晶。

IPC (2)：

C30B 29/16 ,  C30B 15/34

FI (2)：

C30B29/16 ,  C30B15/34

F-Term (12)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB09 ,  4G077BB10 ,  4G077CF03 ,  4G077EH04 ,  4G077FG17 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077PA01 ,  4G077PK03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-137912   Applicant：株式会社光波
• 酸化ガリウム単結晶の製造方法および酸化ガリウム単結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-017071   Applicant：並木精密宝石株式会社

Cited by examiner (2)

• 発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-137912   Applicant：株式会社光波
• 酸化ガリウム単結晶の製造方法および酸化ガリウム単結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-017071   Applicant：並木精密宝石株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• "Growth of β-Ga2O3 single crystals by the edge-defined, film fed growth method"

Cited by examiner (1)

• "Growth of β-Ga2O3 single crystals by the edge-defined, film fed growth method"