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J-GLOBAL ID：201303052316181960

窒化物半導体結晶の測定方法、ドメインの検出方法および窒化物半導体結晶の評価方法

Inventor： 浪田 秀郎 ,  長尾 哲 ,  大畑 達寛 ,  内山 泰宏 ,  秋本 晃一
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011176546
Publication number (International publication number)：2013040060
Application date： Aug. 12, 2011
Publication date： Feb. 28, 2013
Summary：

【課題】微細な構造を有する窒化物半導体結晶を広い範囲にわたって的確かつ簡便に測定できる方法を提供する。【解決手段】分光結晶による発散角が10arcsec以下であり、単色性が4.0×10-4以下であるビームを窒化物半導体結晶表面に照射してその反射光強度を検出器の各ピクセルごとに検出するステップを、ビームの窒化物半導体結晶表面に対する入射角を変えながら、X線トポグラフ像の強度が0超になる開始角度から0以下になる終了角度までの間を少なくとも10点以上について実施し、それによって得られた入射角と検出光強度の関係から各ピクセルごとのロッキングカーブを得て;窒化物半導体結晶を測定面内において180°回転させた後に同じ測定を繰り返し;得られた各ピクセルごとのロッキングカーブから、窒化物半導体結晶表面における結晶面の傾きのずれ(Δθ)と結晶面間隔の伸縮(Δd/d)を分解して算出する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

窒化物半導体結晶表面における結晶面の傾きのずれ(Δθ)と結晶面間隔の伸縮(Δd/d)を測定する方法であって、 (1) 分光結晶による発散角が10arcsec以下であり、単色性が4.0×10-4以下であるビームを前記窒化物半導体結晶表面に照射してその反射光強度を検出器の各ピクセルごとに検出するステップを、前記ビームの前記窒化物半導体結晶表面に対する入射角を変えながら、X線トポグラフ像の強度が0超になる開始角度から0以下になる終了角度までの間の少なくとも10点以上について実施し、それによって得られた前記入射角と検出光強度の関係から各ピクセルごとのロッキングカーブを得る第1測定工程、 (2) 前記窒化物半導体結晶を測定面内において180°回転させた後に、前記ビームを前記窒化物半導体結晶表面に照射してその反射光強度を検出器の各ピクセルごとに検出するステップを、前記ビームの前記窒化物半導体結晶表面に対する入射角を変えながら、X線トポグラフ像の強度が0超になる開始角度から0以下になる終了角度までの間の少なくとも10点以上について実施し、それによって得られた前記入射角と検出光強度の関係から各ピクセルごとのロッキングカーブを得る第2測定工程、および、 (3) 前記第1測定工程および前記第2測定工程において得られた各ピクセルごとのロッキングカーブから、前記窒化物半導体結晶表面における結晶面の傾きのずれ(Δθ)と結晶面間隔の伸縮(Δd/d)を分解して算出する算出工程、 を含むことを特徴とする方法。

IPC (1)：

C30B 29/38

FI (1)：

C30B29/38

F-Term (4)：

4G077BE15 ,  4G077GA03 ,  4G077GA05 ,  4G077GA06