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J-GLOBAL ID：201303053191333122

硫化物系固体電解質の製造方法

Inventor：
宮下 徳彦

About 宮下 徳彦


Applicant, Patent owner：
三井金属鉱業株式会社

About 三井金属鉱業株式会社


Agent (1)： 特許業務法人竹内・市澤国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012080845
Publication number (International publication number)：2013211171
Application date： Mar. 30, 2012
Publication date： Oct. 10, 2013
Summary：
【課題】S欠損を補填することができ、従来の固体電解質に比べて導電率を高めることができる、新たな硫化物系固体電解質の製造方法を提供する。【解決手段】硫化リチウム(LiS2)と、硫化リン(P2S3又はP2S5)、硫化ケイ素(SiS2) 硫化ゲルマニウム(GeS2)、硫化ホウ素(B2S3)、硫化ガリウム(Ga2S3)、硫化すず(SnS又はSnS2)、硫化アンチモン(Sb2S3又はSb2S5)及び硫化アルミニウム(Al2S3)からなる群から選択される1種又は2種以上からなる硫化物粉末とを混合し、硫化水素ガス雰囲気で焼成することを特徴とする硫化物系固体電解質の製造方法を提案する。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
硫化リチウム(LiS2)粉末と、硫化リン(P2S3又はP2S5)、硫化ケイ素(SiS2)、硫化ゲルマニウム(GeS2)、硫化ホウ素(B2S3)、硫化ガリウム(Ga2S3)、硫化すず(SnS又はSnS2)、硫化アンチモン(Sb2S3又はSb2S5)及び硫化アルミニウム(Al2S3)からなる群から選択される1種又は2種以上からなる硫化物粉末とを混合し、硫化水素ガス雰囲気で焼成することを特徴とする硫化物系固体電解質の製造方法。
IPC (8)：
H01M 10/056 ,  C01B 33/00 ,  C01F 7/68 ,  C01D 15/00 ,  H01M 10/052 ,  H01M 6/18 ,  H01B 1/06 ,  H01B 13/00
FI (8)：
H01M10/00 107 ,  C01B33/00 ,  C01F7/68 ,  C01D15/00 ,  H01M10/00 103 ,  H01M6/18 A ,  H01B1/06 A ,  H01B13/00 Z
F-Term (44)：
4G072AA50 ,  4G072BB05 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH33 ,  4G072JJ30 ,  4G072JJ34 ,  4G072LL05 ,  4G072MM01 ,  4G072MM02 ,  4G072MM36 ,  4G072RR13 ,  4G072UU30 ,  4G076AA03 ,  4G076AA18 ,  4G076AB03 ,  4G076BA40 ,  4G076BD02 ,  4G076CA02 ,  4G076CA29 ,  4G076DA30 ,  5G301CA05 ,  5G301CA12 ,  5G301CA16 ,  5G301CA19 ,  5G301CA22 ,  5G301CA23 ,  5G301CD01 ,  5G301CE02 ,  5H024BB01 ,  5H024BB07 ,  5H024BB18 ,  5H024FF23 ,  5H024HH01 ,  5H024HH11 ,  5H029AJ06 ,  5H029AJ14 ,  5H029AM12 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ08 ,  5H029CJ28 ,  5H029HJ01 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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