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J-GLOBAL ID：201303053717220662

プロトン伝導性材料、固体電解質膜、及びプロトン伝導性材料の製造方法

Inventor： 川副 博司 ,  野呂 良彦 ,  山下 俊晴 ,  藤津 悟 ,  俵山 博匡 ,  溝口 拓
Applicant, Patent owner： 川副フロンティアテクノロジー株式会社
Agent (1)： 特許業務法人アイ・ピー・エス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012215397
Publication number (International publication number)：2013201115
Application date： Sep. 28, 2012
Publication date： Oct. 03, 2013
Summary：

【課題】安定的に中温域で高いプロトン伝導性を有するプロトン伝導性材料、固体電解質膜、及びプロトン伝導性材料の製造方法を提供する。【解決手段】プロトン伝導性材料は、リチウム酸化物(LiO1/2)やナトリウム酸化物(NaO1/2)、カリウム酸化物(KO1/2)等のアルカリ酸化物と、鉄(Fe)やタングステン(W)、ゲルマニウム(Ge)等の複数の酸化数状態をとる多価陽性元素の酸化物と、リン酸化物と、を含むガラス材料において、前記アルカリ酸化物由来のアルカリイオンの少なくとも一部をプロトンに置換して得られる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

アルカリ酸化物と、複数の酸化数状態をとる多価陽性元素の酸化物と、リン酸化物と、を含むガラス材料において、前記アルカリ酸化物由来のアルカリイオンの少なくとも一部をプロトンに置換して得られるプロトン伝導性材料。

IPC (6)：

H01M 8/02 ,  H01M 8/12 ,  H01B 1/06 ,  H01B 13/00 ,  C03C 4/14 ,  C03C 3/21

FI (7)：

H01M8/02 K ,  H01M8/02 M ,  H01M8/12 ,  H01B1/06 A ,  H01B13/00 Z ,  C03C4/14 ,  C03C3/21

F-Term (110)：

4G062AA01 ,  4G062BB09 ,  4G062CC10 ,  4G062DA01 ,  4G062DB01 ,  4G062DB02 ,  4G062DB03 ,  4G062DC01 ,  4G062DD04 ,  4G062DD05 ,  4G062DE01 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EA02 ,  4G062EA03 ,  4G062EA04 ,  4G062EA05 ,  4G062EA10 ,  4G062EB01 ,  4G062EB02 ,  4G062EB03 ,  4G062EB04 ,  4G062EB05 ,  4G062EC01 ,  4G062EC02 ,  4G062EC03 ,  4G062EC04 ,  4G062EC05 ,  4G062ED01 ,  4G062EE01 ,  4G062EF01 ,  4G062EG01 ,  4G062EG02 ,  4G062EG03 ,  4G062EG04 ,  4G062FA01 ,  4G062FA10 ,  4G062FB01 ,  4G062FB02 ,  4G062FB03 ,  4G062FB04 ,  4G062FC01 ,  4G062FC02 ,  4G062FC03 ,  4G062FC04 ,  4G062FD01 ,  4G062FD02 ,  4G062FD03 ,  4G062FD04 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FG02 ,  4G062FG03 ,  4G062FG04 ,  4G062FH01 ,  4G062FH02 ,  4G062FH03 ,  4G062FH04 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FK02 ,  4G062FK03 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GA10 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH08 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH12 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM23 ,  4G062NN24 ,  5G301CA02 ,  5G301CA16 ,  5G301CA17 ,  5G301CA18 ,  5G301CA25 ,  5G301CA28 ,  5G301CD01 ,  5G301CE10 ,  5H026AA06 ,  5H026EE01 ,  5H026EE11 ,  5H026EE12 ,  5H026EE15 ,  5H026HH05 ,  5H026HH06 ,  5H026HH08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• プロトン伝導体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-214881   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構

Cited by examiner (1)

• プロトン伝導体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-214881   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構