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J-GLOBAL ID：201303055334055059

強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法

Inventor： 菅原 聡 ,  高村 陽太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学
Agent (2)： 片山 修平 ,  横山 照夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007078925
Publication number (International publication number)：2008243922
Patent number：4742276
Application date： Mar. 26, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】 反応抑制層上に形成された半導体層上に磁性元素層を形成する工程と、 前記半導体層と前記磁性元素層とを熱処理し反応させることにより、前記反応抑制層上にホイスラー合金である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法。

IPC (11)：

H01L 29/82 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01F 10/16 ( 200 6.01) ,  H01F 10/193 ( 200 6.01) ,  C22C 19/07 ( 200 6.01) ,  C22C 30/00 ( 200 6.01) ,  C22F 1/10 ( 200 6.01) ,  C23C 14/58 ( 200 6.01) ,  H01F 41/14 ( 200 6.01) ,  C22F 1/00 ( 200 6.01)

FI (14)：

H01L 29/82 Z ,  H01L 29/78 616 J ,  H01L 29/78 622 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/193 ,  C22C 19/07 C ,  C22C 30/00 ,  C22F 1/10 B ,  C23C 14/58 A ,  H01F 41/14 ,  C22F 1/00 660 Z ,  C22F 1/00 661 Z ,  C22F 1/00 691 C ,  C22F 1/00 691 B