超電導体への最適化された着磁方法

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Applicant, Patent owner： , ,
Agent (4)：吉武賢次 , 永井浩之 , 岡田淳平 , 勝沼宏仁
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2004250368
Publication number (International publication number)：2006066801
Patent number：4793801
Application date： Aug. 30, 2004
Publication date： Mar. 09, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】超電導転移温度以下に冷却されたバルク超電導体近傍に着磁コイルを保持し、前記着磁コイルが発生するパルス磁場により前記バルク超電導体を着磁させる着磁方法において、電源(9)間に直列に着磁コイル(5)とIGBT、MOSFET、SITを含むパルス波形制御用スイッチ(14)を接続し、前記パルス波形制御用スイッチ(14)に対してゲート電圧を与える高周波電源(15)を接続した回路を提供する段階と、前記着磁コイル(5)近傍にバルク超電導体(8)を配置する段階と、前記高周波電源(15)により前記パルス波形制御用スイッチ(14)にゲート電圧を与え、前記パルス波形制御用スイッチ(14)をオンオフすることにより前記バルク超電導体(8)に波形制御されたパルス磁場を印加する段階と、を有し、前記パルス磁場の磁場波形は、前記パルス波形制御用スイッチ(14)の波形制御により、前記パルス波形制御用スイッチ(14)を用いないで前記電源(9)により印加するパルス磁場に比し、時間に対する磁場強度の増加の比率が小さくなるように制御された増磁段階と、前記バルク超電導体(8)に磁束線を侵入させることができる高磁場領域に前記侵入した磁束線がピン止めされるのに十分な時間保持された着磁段階と、前記パルス波形制御用スイッチ(14)を用いないで前記電源(9)により印加するパルス磁場に比し、時間に対する磁場強度の減少の比率が小さくなるように制御された減磁段階と、を有することを特徴とする超電導体への最適化された着磁方法。

IPC (2)：

H01F 13/00 ( 200 6.01) , H01F 6/00 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01F 13/00 ZAA A , H01F 7/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-083854 Applicant：アイシン精機株式会社
ロングパルス磁場の発生方法とその発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-334759 Applicant：科学技術振興事業団
超電導体の着磁方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-327899 Applicant：アイシン精機株式会社

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Cited by examiner (4)

超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置
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ロングパルス磁場の発生方法とその発生装置
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