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J-GLOBAL ID：201303060526657242

環状構造をもつ縦型共鳴トンネル素子の製造方法及び縦型共鳴トンネル素子並びに磁気検出装置

Inventor： 天羽 真一 ,  羽田野 剛司 ,  樽茶 清悟
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (2)： 柏原 三枝子 ,  高橋 剛一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007008351
Publication number (International publication number)：2008177291
Patent number：4871150
Application date： Jan. 17, 2007
Publication date： Jul. 31, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ソース電極となる金属膜と導電層からなるドレイン電極との間に変調ドープ構造を持つ柱状半導体を有し、該柱状半導体の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記金属膜と略平行な前記変調ドープ構造で形成された多重障壁層を備え、該柱状半導体の中心軸部分に前記ソース電極側から有底穴が形成された縦型共鳴トンネル素子の製造方法において、前記有底穴を形成するとき該有底穴の底部が前記多重障壁層を貫通しない深さにすることにより生じる空乏層によって該多重障壁層間の電子閉じ込め領域が実効的にリング状になる深さにしたことを特徴とする縦型共鳴トンネル素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/80 ( 200 6.01) ,  H01L 29/66 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/88 ( 200 6.01) ,  G01R 33/09 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 29/80 A ,  H01L 29/66 T ,  H01L 29/06 601 W ,  H01L 29/88 S ,  G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 縦型半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-296073   Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 微小半導体リング構造のトンネル特性