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J-GLOBAL ID：201303063012016379

半導体装置の製造方法

Inventor： 冬木 隆 ,  浦岡 行治 ,  彦野 太樹夫 ,  三浦 篤志
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
Agent (1)： 小倉 啓七
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007510529
Patent number：5110428
Application date： Mar. 28, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】絶縁体である金属酸化物からなるコアを2次元マトリクス状の量子ドットとして絶縁膜が形成された基板上に形成するドット形成工程と、 前記コアが配列されている基板上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、 上記ゲート絶縁膜形成工程の後に、前記コアを包含した前記ゲート絶縁膜に対して、還元力を有するガス中で、100〜800°Cの処理温度でアニール処理を施すことにより、前記ゲート絶縁膜に埋め込まれた前記コアを還元して電気的特性を絶縁体から導電体に改質するアニール処理工程とを備え、 前記アニール処理が、前記ゲート絶縁膜の酸素結合力によって金属酸化物たる前記コアを還元することにより前記コアに導電性を与える処理である、半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/06 601 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-273911   Applicant：松下電器産業株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-242708   Applicant：沖電気工業株式会社