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J-GLOBAL ID:201303063949840930

予め形成された球状の整合層を備えた湾曲した超音波HIFUトランスデューサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 津軽 進 ,  笛田 秀仙
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2012537468
Publication number (International publication number):2013509932
Application date: Nov. 03, 2010
Publication date: Mar. 21, 2013
Summary:
湾曲した高密度焦点式超音波(HIFU)のトランスデューサであって、同トランスデューサは、対向する凸曲面及び凹曲面をもつ湾曲した圧電アレイと、放射面である凹曲面と、複数の音響伝播エリアと、湾曲した圧電アレイの表面に位置して電気送信信号を音響伝達エリアへと印加するための複数の電極と、湾曲したトランスデューサのアレイが所望する湾曲面へと予備成形され、音響的な整合と電気絶縁とを提供し、湾曲した圧電アレイの放射面へと固着された湾曲した整合層が連続的に形成された一体物と、を有する。
Claim (excerpt):
湾曲した高密度焦点式超音波(HIFU)トランスデューサであって、当該HIFUトランスデューサは、 対向する凸面及び凹面と、複数の音響伝達エリアとを有し該凹面は放射面である、湾曲した圧電アレイと、 電気伝送信号を前記音響伝達エリアへと印加するための、前記湾曲した圧電アレイの表面に位置した、複数の電極と、 前記湾曲した圧電アレイの放射面に音響的な整合及び電気絶縁を提供する、前記湾曲したトランスデューサのアレイの所望の曲率へと予備成形され、当該湾曲した圧電アレイの放射面へ固着された、単一の、連続的に湾曲形成された整合層と、 を有する、HIFUトランスデューサ。
IPC (1):
A61B 18/00
FI (1):
A61B17/36 330
F-Term (4):
4C160EE03 ,  4C160EE19 ,  4C160JJ33 ,  4C160MM32
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (2)
  • 特開平4-227247
  • 超音波発生装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-239388   Applicant:東芝セラミックス株式会社

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