トランジスタ型センサ、およびトランジスタ型センサの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山下昭彦 , 岸本達人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011277524
Publication number (International publication number)：2013127428
Application date： Dec. 19, 2011
Publication date： Jun. 27, 2013
Summary：

【課題】本発明は、イオン濃度の高精度な測定が可能なトランジスタ型センサ、およびトランジスタ型センサの製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、基材と、上記基材上に形成された半導体層、ならびに上記半導体層に接するように形成されたソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタ部と、絶縁性材料を含むイオン感応膜を少なくとも有するセンサ部とを有し、上記イオン感応膜の表面における電気特性の変化を、上記トランジスタ部で検出するトランジスタ型センサであって、上記イオン感応膜の表面粗さがRa=6.5nm以上であることを特徴とするトランジスタ型センサを提供することにより上記課題を解決するものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基材と、前記基材上に形成された半導体層、ならびに前記半導体層に接するように形成されたソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタ部と、絶縁性材料を含むイオン感応膜を少なくとも有するセンサ部とを有し、前記イオン感応膜の表面における電気特性の変化を、前記トランジスタ部で検出するトランジスタ型センサであって、前記イオン感応膜の表面粗さがRa=6.5nm以上であることを特徴とするトランジスタ型センサ。

IPC (1)：

G01N 27/414

FI (1)：

G01N27/30 301V

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開昭62-083641
バイオセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-101309 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体イオンセンサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-307911 Applicant：松下電工株式会社

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Cited by examiner (3)

特開昭62-083641
バイオセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-101309 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体イオンセンサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-307911 Applicant：松下電工株式会社

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