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J-GLOBAL ID：201303067021208391

超伝導量子干渉素子

Inventor： 前田 京剛 ,  ゴメス・エスピノーザ・ルイス・ベルトラン
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (3)： 平山 一幸 ,  篠田 哲也 ,  小川 耕太
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007324093
Publication number (International publication number)：2009147179
Patent number：5187559
Application date： Dec. 15, 2007
Publication date： Jul. 02, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 一対のアンテナ部を一対の狭窄部で接続してなるリング部を有する超伝導体層と、 上記一対の狭窄部の一方に跨るように配設された強磁性層と、を備える、超伝導量子干渉素子。

IPC (2)：

H01L 39/22 ( 200 6.01) ,  G01R 33/035 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 39/22 ZAA D ,  G01R 33/035

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 量子位相電荷結合素子
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-577344   Applicant：ディー-ウェイヴシステムズインコーポレイテッド
• 2-SQUID磁束計およびその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-333816   Applicant：株式会社日立製作所
• 超伝導トンネル接合
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-046458   Applicant：日本電気株式会社
• サファイア基板上の高性能段差型超伝導量子干渉素子およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-016414   Applicant：ユニヴァーシティーオブメリーランド