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J-GLOBAL ID：201303074068865559

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor：
田中 聖康

About 田中 聖康


Applicant, Patent owner：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

About ルネサスエレクトロニクス株式会社


Agent (2)： 速水 進治 ,  天城 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012199932
Publication number (International publication number)：2013131736
Application date： Sep. 11, 2012
Publication date： Jul. 04, 2013
Summary：
【課題】寄生抵抗を低減し、低損失化した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板SB1の少なくとも一面側には、窒化物半導体からなる窒化物半導体層NS1が設けられている。不純物領域(ソース領域SR1およびドレイン領域DR1など)は、窒化物半導体層NS1の一面側に設けられており、第1導電型の不純物を含んでいる。また、非晶質の非晶質領域(第1の非晶質領域FA1および第2の非晶質領域SA1)は、不純物領域の一部であり、不純物領域の表層に位置している。また、金属層(ソース電極SE1およびドレイン電極DE1)は、非晶質領域(第1の非晶質領域FA1および第2の非晶質領域SA1)に接している。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
少なくとも一面側に窒化物半導体からなる窒化物半導体層を有する半導体基板と、 前記窒化物半導体層の前記一面側に設けられた第1導電型の不純物を含む不純物領域と、 当該不純物領域の一部であり、前記不純物領域の表層に位置する非晶質の非晶質領域と、 前記非晶質領域に接する金属層と、 を備える半導体装置。
IPC (8)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/265
FI (9)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 L ,  H01L29/80 F ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/28 A ,  H01L29/50 M ,  H01L21/265 601Q ,  H01L21/265 601A
F-Term (108)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD84 ,  4M104FF21 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG08 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR03 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GR16 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT08 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC07 ,  5F102HC21 ,  5F140AA25 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB06 ,  5F140BB13 ,  5F140BB15 ,  5F140BB18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF43 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BH14 ,  5F140BH18 ,  5F140BH30 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ26 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC09 ,  5F140CC12 ,  5F140CD08
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Cited by examiner (10)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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