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J-GLOBAL ID：200903008414663970

高電子移動度トランジスタ

Inventor：
池田 成明

About 池田 成明

, 
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004041557
Publication number (International publication number)：2005235935
Application date： Feb. 18, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：
【課題】ノーマリーオフの特性の実現ができ、ソース-ドレイン間の抵抗が低い高電子移動度トランジスタの実現を目的とする。【解決手段】窒化物系化合物半導体からなる高電子移動度トランジスタにおいて、少なくとも電子走行層と電子供給層から成るヘテロ接合構造と、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極とを有し、 前記電子走行層3と前記電子供給層4の間に前記電子供給層4よりもバンドギャップエネルギーの大きな窒化物系化合物半導体からなる中間層7を有し、 かつ、前記電子走行層3は不純物がドーピングされ、前記中間層7と前記電子走行層3との界面近傍においては、前記不純物の濃度の最高点が存在しないことを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
窒化物系化合物半導体からなる高電子移動度トランジスタにおいて、少なくとも電子走行層と電子供給層から成るヘテロ接合構造と、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極とを有し、 前記電子走行層と前記電子供給層の間に前記電子供給層よりもバンドギャップエネルギーの大きな窒化物系化合物半導体からなる中間層を有し、 かつ、前記電子走行層には不純物がドーピングされ、前記中間層と前記電子走行層との界面近傍においては、前記不純物の濃度の最高点が存在しないことを特徴とする。
IPC (3)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (18)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC16 ,  5F102HC19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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