Pat

J-GLOBAL ID：201303081271389874

光電気化学装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 大石 敏之 ,  大塚 浩志 ,  山中 宏治 ,  山口 裕太郎 ,  中山 正敏 ,  今井 章文 ,  宮本 恭幸
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (4)： 田澤 英昭 ,  濱田 初音 ,  久米 輝代 ,  河村 秀央
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012011185
Publication number (International publication number)：2013149914
Application date： Jan. 23, 2012
Publication date： Aug. 01, 2013
Summary：

【課題】光電気化学反応を用いて窒化物半導体の閾値を精密に制御できる光電気化学装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】対向陰極7と作用陽極5との間に接続した電源8を制御しながら、試料3のGaN層のバンドギャップより高いエネルギーの光4を試料3に照射して電子とホールの対を発生させ、試料3の表面に移動したホールを試料3の表面と酸化溶液2との界面での酸化反応に供することにより、試料3の表面のAlGaN層を酸化して薄膜化する酸化工程と、電源8の電圧を挿引して、GaN層に電子が存在して電流が流れなくなる閾値Vthを測定する閾値モニタ工程とを有し、閾値モニタ工程で測定された閾値Vthが目標閾値に達するまで酸化工程を実行する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

酸化溶液を保持する容器と、前記容器内の酸化溶液に接触させた陰極と、半導体試料に電気的に接続され、当該半導体試料とともに前記容器内の酸化溶液に接触させた陽極とを備える光電気化学装置において、 前記陰極と前記陽極の間に接続した電源を制御しながら、前記半導体試料のチャネル層のバンドギャップより高いエネルギーの光を当該半導体試料に照射して電子とホールの対を発生させ、前記半導体試料の表面に移動した前記ホールを当該半導体試料の表面と前記酸化溶液との界面での酸化反応に供することにより、当該半導体試料の表面のバリア層を酸化して薄膜化する酸化工程と、 前記電源の電圧を挿引して、前記チャネル層に電子が存在して電流が流れなくなる閾値を測定する閾値モニタ工程とを実行する制御部を有し、 前記制御部は、前記閾値モニタ工程で測定された前記閾値が目標閾値に達するまで前記酸化工程を実行することを特徴とする光電気化学装置。

IPC (7)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/306

FI (5)：

H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/316 T ,  H01L21/306 B ,  H01L21/302 105A

F-Term (44)：

5F004AA16 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DB19 ,  5F004FA08 ,  5F043AA05 ,  5F043BB10 ,  5F043DD02 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF70 ,  5F058BH11 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ01 ,  5F102FA09 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04 ,  5F102HC15 ,  5F102HC26 ,  5F140AA01 ,  5F140AA06 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BC12 ,  5F140BE03 ,  5F140BF43