金属酸化物膜付き基板及び金属酸化物膜付き基板の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅原正倫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2000188212
Publication number (International publication number)：2002009355
Patent number：4759117
Application date： Jun. 22, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Claim (excerpt)：

【請求項1】電気的デバイスの構成要素となるべき基板本体と、前記基板本体に形成される所定深さの凹部と、前記基板本体の表面及び前記凹部の内部の表面に形成されるエッチング停止層と、前記エッチング停止層の上で、前記凹部の内周縁との間に隙間を介して前記凹部内に形成される金属酸化物膜と、を備えるとともに、前記基板本体の裏面から前記エッチング停止層に届く開口部を形成し、前記凹部と前記開口部との間で、前記金属酸化物膜が支持されていることを特徴とする金属酸化物膜付き基板。

IPC (6)：

H01L 41/08 ( 200 6.01) , H01L 21/02 ( 200 6.01) , H01L 41/187 ( 200 6.01) , H01L 41/22 ( 200 6.01) , H03H 3/02 ( 200 6.01) , H03H 9/17 ( 200 6.01)

FI (8)：

H01L 41/08 D , H01L 21/02 B , H01L 41/18 101 B , H01L 41/18 101 C , H01L 41/18 101 D , H01L 41/22 Z , H03H 3/02 B , H03H 9/17 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電界効果型半導体メモリ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-230556 Applicant：日本電気株式会社
基板被膜の端縁部除去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-261134 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-057846 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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