Pat
J-GLOBAL ID:201303085577842918
半導体技術を用いた熱電装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (6):
勝沼 宏仁
, 佐藤 泰和
, 川崎 康
, 関根 毅
, 赤岡 明
, 木本 大介
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2012522137
Publication number (International publication number):2013501354
Application date: Jul. 26, 2010
Publication date: Jan. 10, 2013
Summary:
本発明は、熱源に隣接して配置された温熱側(Th)と、冷熱側(Tc)とを含み、温熱側と冷熱側との間の温度差に依存する信号(U)を出力する、半導体技術を用いた集積化された熱電装置に関する。温熱側および冷熱側は、熱源の温度が変化する際に、換言すると、センサが劣悪な動作条件を有する場合に、それらの温度が等しくなり易いように配置される。測定回路は、熱源の温度が変化した時刻(t0)からの、信号の連続的に可変の部分(t0-t1)に応じて、有用な情報を生成する。熱源の温度が変化を止めた場合には、温熱側および冷熱側の温度が等しくなり、且つ、信号はキャンセルされ、そして、変化を止める。温熱側と冷熱側との間の距離は、100μm未満とすることができる。
Claim (excerpt):
熱源(16)に近接して配置された温熱側(Th)と、冷熱側(Tc)とを備え、且つ、前記温熱側と前記冷熱側との間の温度差に従って、信号(U)を供給する、半導体技術で集積化された熱電装置であって、
前記温熱側および前記冷熱側は、熱源の温度が変化する際に、前記温熱側の温度と前記冷熱側の温度とが等しくなり易いように、配置される、ことを特徴とする熱電装置。
IPC (2):
FI (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
電流検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-340342
Applicant:矢崎総業株式会社
-
特開平4-335560
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-087252
Applicant:NECエレクトロニクス株式会社
-
CMOS素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-289277
Applicant:ドンブハイテックカンパニーリミテッド
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-031514
Applicant:株式会社ルネサステクノロジ
Show all
Return to Previous Page