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J-GLOBAL ID：201303090982515596

臨界温度サーミスタ、該サーミスタ用のサーミスタ素子、およびその製造方法

Inventor：
上城 政博

About 上城 政博


Applicant, Patent owner：
ニチコン株式会社

About ニチコン株式会社


Agent (1)： 特許業務法人みのり特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011144235
Publication number (International publication number)：2013012583
Application date： Jun. 29, 2011
Publication date： Jan. 17, 2013
Summary：
【課題】臨界温度サーミスタ用のディスク状サーミスタ素子の製造方法、並びに、当該製造方法により製造されたサーミスタ素子を用いた臨界温度サーミスタを提供する。【解決手段】酸化バナジウム粉末に、バインダーとしてのポリビニルアルコールまたはメチルセルロース、および、導電性物質としてのカーボンを添加して成形を行い、ディスク状の成形体を得る工程(工程A)と、前記工程Aにより得られた成形体の側面を、シリコン系樹脂またはエポキシ系樹脂で外装し補強する工程(工程B)と、前記工程Bにより得られた成形体の両主面に導電性接着剤を付着させる工程(工程C)とを含むことを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
臨界温度サーミスタ用のサーミスタ素子を製造する方法であって、 酸化バナジウム粉末に、バインダーとしてポリビニルアルコールまたはメチルセルロース、および、導電性物質としてカーボンを添加して成形を行い、ディスク状の成形体を得る第1工程と、 前記成形体の両主面を除く外周側面を、シリコン系樹脂またはエポキシ系樹脂で外装し補強する第2工程と、 前記第2工程により得られた成形体の両主面に導電性接着剤を付着させる第3工程と、 を含むことを特徴とする臨界温度サーミスタ用のサーミスタ素子の製造方法。
IPC (2)：
H01C 7/04 ,  G01K 7/22
FI (2)：
H01C7/04 ,  G01K7/22 N
F-Term (7)：
2F056QF01 ,  2F056QF07 ,  2F056QF10 ,  5E034BA09 ,  5E034BC07 ,  5E034DA03 ,  5E034DC02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開昭52-115398
  • 正特性サーミスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-020166   Applicant：株式会社村田製作所
  • 積層型セラミック電子部品の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-248347   Applicant：株式会社村田製作所
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