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J-GLOBAL ID：201303091026688870

磁性半導体とその製造方法

Inventor： 黒田 眞司 ,  西沢 望 ,  瀧田 宏樹 ,  三留 正則 ,  板東 義雄 ,  ディートル、トーマス
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007046400
Publication number (International publication number)：2008207996
Patent number：5218953
Application date： Feb. 27, 2007
Publication date： Sep. 11, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】母体化合物半導体の構成元素の一部を磁性元素で置換した磁性半導体であって前記磁性元素が含まれたナノ結晶を有する磁性半導体の薄膜を基板上に形成する磁性半導体の製造方法において、 前記薄膜を前記基板上に蒸着するに当たり、前記母体化合物半導体を構成する複数の元素の間でその供給量の割合を調整することにより、前記磁性半導体の組成割合における化学量論比からのずれを調整し、以て前記薄膜中に生成する前記ナノ結晶の大きさを調整することを特徴とする磁性半導体の製造方法。

IPC (7)：

C30B 29/46 ( 200 6.01) ,  H01L 21/363 ( 200 6.01) ,  C01B 19/04 ( 200 6.01) ,  C23C 14/00 ( 200 6.01) ,  H01F 10/193 ( 200 6.01) ,  B82B 1/00 ( 200 6.01) ,  B82B 3/00 ( 200 6.01)

FI (7)：

C30B 29/46 ,  H01L 21/363 ,  C01B 19/04 H ,  C23C 14/00 D ,  H01F 10/193 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 荷電制御強磁性半導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-076104   Applicant：国立大学法人筑波大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 高Cr組成(Zn,Cr)Teの電気伝導特性と磁性