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J-GLOBAL ID:200903026740192340
荷電制御強磁性半導体
Inventor:
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,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
光田 敦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005076104
Publication number (International publication number):2006261353
Application date: Mar. 16, 2005
Publication date: Sep. 28, 2006
Summary:
【課題】室温以上の温度で強磁性転移を示し、その強磁性-常磁性間の転移を外部電界などのパラメーターで制御できる荷電制御強磁性半導体を実現する。【解決手段】GaAsで形成された基板上に、II-VI族半導体であるZnTeにCrを添加した半導体であり、Cr組成5%の結晶で、ドーパントを同時に添加して成る薄膜を、分子線エピタキシー法により、結晶成長させて荷電制御強磁性半導体を製造し、添加するドーパントがp型の場合には、強磁性転移温度は低下し、逆にn型の場合には強磁性転移温度は上昇し、Cr組成を一定にしたまま、添加したドーパントの型および濃度により強磁性転移温度を変化させることが可能である。【選択図】図4
Claim (excerpt):
II-VI族半導体のII族原子がCrで置換され、n型またはp型のドーパントが添加されて成ることを特徴とする荷電制御強磁性半導体。
IPC (5):
H01F 1/40
, H01L 27/105
, H01L 21/824
, H01F 10/193
, H01L 29/82
FI (4):
H01F1/00 A
, H01L27/10 447
, H01F10/193
, H01L29/82 Z
F-Term (6):
5E040CA11
, 5E049AA10
, 5E049BA25
, 5E049FC10
, 5F083FZ10
, 5F083JA60
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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強磁性II-VI族系化合物及びその強磁性特性の調整方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-059164
Applicant:科学技術振興事業団
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絶縁性強磁性半導体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-037000
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
Cited by examiner (4)