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J-GLOBAL ID：201303091463608346

超伝導材料及びその製造方法

Inventor： 永瀬 雅夫 ,  岡本 創 ,  山口 浩司
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007171802
Publication number (International publication number)：2009007216
Patent number：5144143
Application date： Jun. 29, 2007
Publication date： Jan. 15, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基質と、 前記基質内に配置され、前記基質と同じ元素からなる所定条件で超伝導特性を示す複数の超伝導領域と を備え、 前記基質は、アモルファス状態の炭素から構成され、 前記超伝導領域は、sp2混成軌道による結合の炭素から構成されたものであり、 隣り合う前記超伝導領域は、超伝導近接効果を示す距離離間している ことを特徴とする超伝導材料。

IPC (5)：

C01B 31/04 ( 200 6.01) ,  H01L 39/24 ( 200 6.01) ,  H01B 13/00 ( 200 6.01) ,  C23C 14/06 ( 200 6.01) ,  C23C 14/35 ( 200 6.01)

FI (5)：

C01B 31/04 101 Z ,  H01L 39/24 ZAA B ,  H01B 13/00 565 Z ,  C23C 14/06 ZNM F ,  C23C 14/35 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• カーボンナノクラスタ膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-289289   Applicant：エヌ・ティ・ティ・アフティ株式会社, 日本電信電話株式会社
• カーボンナノクラスタ膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-289288   Applicant：エヌ・ティ・ティ・アフティ株式会社, 日本電信電話株式会社
• 炭素皮膜、同炭素皮膜を適用した磁気ディスク及びその製造方法並びに磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-287684   Applicant：株式会社日立製作所
• アモルファスカーボン膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-250205   Applicant：日本電信電話株式会社
• FIBをガスが供給される基板表面に照射して超電導膜を成膜する方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-216835   Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社, 独立行政法人物質・材料研究機構