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J-GLOBAL ID：201303097085852088

半導体装置

Inventor： 菅原 聡 ,  置塩 貴雄 ,  高村 陽太
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体理工学研究センター
Agent (4)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  伊坪 公一 ,  南山 知広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011143504
Publication number (International publication number)：2013012554
Application date： Jun. 28, 2011
Publication date： Jan. 17, 2013
Summary：

【課題】半導体層と強磁性金属層との間のショットキー障壁による接触抵抗を低減し、かつ高効率のスピン注入を実現するための界面抵抗の最適化を可能とすること。【解決手段】半導体層10と、前記半導体層にスピン偏極した電子を注入、または前記半導体層からスピン偏極した電子を受ける強磁性金属層12と、前記半導体層と前記強磁性金属層との間に設けられ、前記強磁性金属層より小さな仕事関数を有する金属膜16と、前記金属膜と前記半導体層との間に設けられた絶縁膜14と、を具備する半導体装置。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体層と、 前記半導体層にスピン偏極した電子を注入、または前記半導体層からスピン偏極した電子を受ける強磁性金属層と、 前記半導体層と前記強磁性金属層との間に設けられ、前記強磁性金属層より小さな仕事関数を有する金属膜と、 前記金属膜と前記半導体層との間に設けられた絶縁膜と、 を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01L 29/82

FI (1)：

H01L29/82 Z

F-Term (10)：

5F092AA15 ,  5F092AB10 ,  5F092AC24 ,  5F092AC25 ,  5F092AD25 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• スピンFET及び磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-221600   Applicant：株式会社東芝
• 機能素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-246077   Applicant：株式会社東芝