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J-GLOBAL ID：201402204586060488   Reference number：14A0118626

Device design assessment of 4H-SiC n-IGBT - A simulation study

4H-SiC n-IGBTのデバイス設計評価-シミュレーションによる研究

Author (2)： USMAN Muhammad (Quaid-i-Azam Univ., Islamabad, PAK) ,  NAWAZ Muhammad (ABB Corporate Res., Vaestera, SWE)
Material： Solid-State Electronics  (Solid-State Electron)
Volume： 92  Page： 5-11  Publication year： 2014 
JST Material Number： H0225A  ISSN： 0038-1101  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  hexagonal system ,  *IGBT ,  Computer Simulation ,  *CAD ,  modeling ,  carrier lifetime ,  carrier capture ,  interface (surface) ,  interface trap ,  computer application ,  utilization
Semi thesaurus term： *4H-SiC ,  *TCAD ,  device simulation

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  General  (NC03161C)

Terms in the title (6)： 4H-SiC ,  IGBT ,  デバイス設計 ,  評価 ,  シミュレーション ,  研究