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J-GLOBAL ID：201402205596734670   Reference number：14A0392273

Cu電析膜の室温再結晶に及ぼす水素の影響

Author (5)： YOSHIDA YUKI (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  FUKUMURO NAOKI (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  YAE SHINJI (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  MATSUDA HITOSHI (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  FUKAI YU (東大 生産技研)
Material： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
Volume： 154th  Page： ROMBUNNO.S2.2  Publication year： Mar. 07, 2014 
JST Material Number： S0988B  ISSN： 2433-3093  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *electrodeposition ,  *copper plating ,  plating film ,  metal structure(microstructure) ,  *hydrogen ,  *recrystallization ,  LSI ,  thermal programmed desorption ,  internal stress ,  time course ,  particle size(diameter) ,  crystal orientation ,  plating bath
Semi thesaurus term： electrodeposition ,  microstructure ,  copper interconnect ,  LSI circuit

JST classification (2)： Electroplating  (WC08023B) ,  Other metallography  (WB01040Y)

Terms in the title (5)： Cu ,  電析 ,  室温 ,  再結晶 ,  水素