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J-GLOBAL ID：201402207965696607   Reference number：14A0413224

Effects of plasma-induced defects on electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure before and after low-temperature annealing

AlGaN/GaNヘテロ構造の低温熱処理前後の電気的特性に及ぼすプラズマ誘起欠陥の影響

Author (4)： TAKIMOTO Takuma ,  TAKESHITA Koji ,  NAKAMURA Seiji ,  OKUMURA Tsugunori
Material： Thin Solid Films
Volume： 557  Page： 212-215  Publication year： Apr. 30, 2014 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *device structure ,  compound semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  *gallium nitride ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  *nitride ,  plasma exposure ,  *defect ,  *two dimensional electron gas ,  Schottky barrier ,  annealing (heat treatment) ,  *hetero-structure ,  *aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： *aluminium gallium nitride ,  plasma exposure ,  post-annealing

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  低温熱処理 ,  電気的特性 ,  プラズマ ,  誘起 ,  欠陥