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J-GLOBAL ID：201402218606494839   Reference number：14A1457528

Highly conductive SnO₂ thin films deposited by atomic layer deposition using tetrakis-dimethyl-amine-tin precursor and ozone reactant

テトラキス-ジメチル-アミン-スズ前駆体とオゾン反応物を用いた原子層蒸着により蒸着した高伝導性SnO₂薄膜

Author (2)： CHOI Dong-won ,  PARK Jin-seong
Material： Surface & Coatings Technology  (Surf Coat Technol)
Volume： 259  Issue： Part B  Page： 238-243  Publication year： Nov. 25, 2014 
JST Material Number： D0205C  ISSN： 0257-8972  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *oxide ,  *evaporated film ,  *tin oxide ,  *chemical vapor deposition ,  precursor (substance) ,  ozonolysis ,  electrical characteristic ,  electrical resistivity ,  Temperature ,  thin film growth ,  mechanism ,  chemical bond ,  crystallinity ,  surface roughness ,  optical property ,  carrier density ,  Hall mobility ,  polycrystal ,  transmissivity ,  optical transmission ,  *compound semiconductor ,  *transparent conducting thin films ,  substrate (plate) ,  refractive index ,  growth rate ,  binding energy ,  surface quality ,  visible spectrum ,  ultraviolet spectrum ,  glass substrate ,  light transmission ,  UV-Vis spectrum ,  growing temperature ,  *transparent conducting oxide ,  conductive oxide ,  quartz substrate
Semi thesaurus term： silica substrate ,  *atomic layer deposition ,  growth mechanism

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Bases,metal oxides  (CD01030Z)

Substance index (1)： Tetrakis(dimethylamino) tin(IV)

Terms in the title (11)： テトラ ,  ジメチル ,  アミン ,  スズ ,  前駆体 ,  オゾン ,  反応物 ,  原子層蒸着 ,  蒸着 ,  SnO2 ,  薄膜