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J-GLOBAL ID：201402227322102387   Reference number：14A1107433

Si-Geにおける過冷却融液からの凝固

Author (4)： NEGISHI SHIGETOSHI (芝浦工大) ,  NAGAYAMA KATSUHISA (芝浦工大) ,  INATOMI YUKO (ISAS/JAXA) ,  KURIBAYASHI KAZUHIKO (ISAS/JAXA)
Material： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
Volume： 155th  Page： ROMBUNNO.P96  Publication year： Sep. 10, 2014 
JST Material Number： S0988B  ISSN： 2433-3093  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *crystal growth ,  *silicon ,  additive effect ,  germanium ,  floating zone melting ,  floating ,  *micro structure ,  *solidification structure ,  in situ observation ,  high speed camera ,  growth rate ,  impurity ,  twin
Semi thesaurus term： electromagnetic levitation ,  microstructure ,  degree of supercooling

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： Si ,  Ge ,  過冷却 ,  融液 ,  凝固