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J-GLOBAL ID：201402234202483243   Reference number：14A0552047

Reversible and nonvolatile modulation of electrical resistance in SnO₂ by external strain

外部歪みによるSnO₂の電気抵抗の可逆 不揮発性変調

Author (4)： SAKURAI Makoto (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  LIU Kewei (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  LIU Kewei (Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  AONO Masakazu (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 7  Issue： 3  Page： 031101.1-031101.3  Publication year： Mar. 2014 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *tin oxide ,  *bar ,  *electric resistance ,  reversible reaction ,  nonvolatile memory ,  semiconductor ,  dielectric material ,  transmission electron microscope ,  photoluminescence

JST classification (1)： Electronic properties in general  (BM01000S)

Reference (24)：

• M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
• T. Zhai, X. Fang, M. Liao, X. Xu, H. Zeng, Y. Bando, and D. Golberg, Sensors 9, 6504 (2009).
• M. L. Lee, E. A. Fitzgerald, M. T. Bulsara, M. T. Currie, and A. Lochtefeld, J. Appl. Phys. 97, 01101 (2005).
• M. Sakurai, Y. G. Wang, T. Uemura, and M. Aono, Nanotechnology 20, 155203 (2009).
• Y. Hu, Y. Chang, P. Fei, R. L. Snyder, and Z. L. Wang, ACS Nano 4, 1234 (2010).

Terms in the title (4)： 歪み ,  電気抵抗 ,  不揮発性 ,  変調