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J-GLOBAL ID：201402235639273988   Reference number：14A1234363

Recent progress in integration of III-V nanowire transistors on Si substrate by selective-area growth

領域選択成長によるSi基板上へのIII-Vナノワイヤトランジスタの集積化の最近の進展

Author (3)： TOMIOKA Katsuhiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Journal of Physics. D. Applied Physics  (J Phys D)
Volume： 47  Issue： 39  Page： 394001,1-13  Publication year： Oct. 01, 2014 
JST Material Number： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： selective growth ,  wafer ,  compound semiconductor ,  *FET ,  mismatch dislocation ,  indium gallium arsenide ,  indium arsenide ,  III-VI semiconductor ,  Si wafer
Semi thesaurus term： III-VI compound semiconductor ,  silicon substrate ,  *nanowire transistor ,  misfit dislocation ,  selected area growth

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 領域選択成長 ,  Si基板 ,  ナノワイヤトランジスタ ,  集積化 ,  進展