Art

J-GLOBAL ID：201402236994721831   Reference number：14A0425920

Identification of dislocations in 4H-SiC epitaxial layers and substrates using photoluminescence imaging

光ルミネセンスイメージングを用いた4H-SiCエピタキシャル層及び基板における転位の同定

Author (3)： KAWAHARA Chihiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 2  Page： 020304.1-020304.3  Publication year： Feb. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *hydrogenation ,  *layer ,  *substrate (plate) ,  *dislocation(crystal) ,  *edge dislocation ,  *photoluminescence ,  point ,  line ,  *point defect ,  *impurity ,  density ,  *epitaxial layer ,  *basal plane dislocation ,  *lattice defect
Semi thesaurus term： *貫通螺旋転位 ,  *edge dislocation ,  スポット【点】

JST classification (4)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (27)：

• Y. Sugawara, D. Takayama, K. Asano, A. Agarwal, S. Ryu, J. Palmour, and S. Ogata, Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 2004, p. 365.
• A. Agarwal, M. Das, S. Krishnaswami, J. Palmour, J. Richmond, and S.-H. Ryu, MRS Proc. 815, J1.1 (2004).
• S. G. Sundaresan, C. Sturdevant, M. Marripelly, E. Lieser, and R. Singh, Mater. Sci. Forum 717–720, 949 (2012).
• H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto, Appl. Phys. Express 5, 064001 (2012).
• L. Cheng, A. K. Agarwal, C. Capell, M. O’Loughlin, K. Lam, J. Zhang, J. Richmond, A. Burk, J. W. Palmour, A. A. Ogunniyi, H. K. O’Brien, and C. J. Scozzie, Mater. Sci. Forum 740–742, 978 (2013).

Terms in the title (6)： 光ルミネセンス ,  イメージング ,  4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  転位 ,  同定