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J-GLOBAL ID：201402240839357861   Reference number：14A0493213

Breakdown Voltage In Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Devices Induced By Ion Beams

イオン・ビームにより誘起されるシリコン・カーバイド金属酸化物半導体素子の破壊電圧

Author (11)： OHSHIMA T. (Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN) ,  DEKI M. (Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN) ,  DEKI M. (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  MAKINO T. (Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN) ,  IWAMOTO N. (Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN) ,  ONODA S. (Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN) ,  HIRAO T. (Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN) ,  KOJIMA K. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TOMITA T. (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  MATSUO S. (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  HASHIMOTO S. (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
Material： AIP Conference Proceedings  (AIP Conf Proc)
Volume： 1525  Page： 654-658  Publication year： 2013 
JST Material Number： D0071C  ISSN： 0094-243X  Document type： Proceedings
Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： イオン・ビーム ,  誘起 ,  シリコン ,  カーバイド ,  金属酸化物 ,  半導体素子 ,  破壊電圧