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J-GLOBAL ID：201402241723437147   Reference number：14A0064758

ナノポーラス材料の新展開 アノード酸化ポーラスアルミナ皮膜を用いたシリコンのナノ構造制御

Author (2)： ONO SACHIKO (工学院大 工) ,  ASO HIDETAKA (工学院大 工)
Material： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
Volume： 65  Issue： 1  Page： 18-23  Publication year： Jan. 01, 2014 
JST Material Number： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： porous medium ,  *wafer ,  solid state device ,  *fine patterning ,  anodic oxidation ,  Aluminum Oxide ,  pore structure ,  aspect ratio ,  self-organizing ,  ordering ,  pattern formation ,  silicon dioxide ,  metal catalyst ,  etching ,  silver plating ,  electroless plating ,  *nanostructure ,  nanoporous material ,  nano-device ,  *structure control ,  high aspect ratio ,  ordered structure ,  *Si wafer ,  anodic aluminum oxide
Semi thesaurus term： *silicon substrate ,  anodic aluminium oxide ,  nanopatterning ,  nano-dot array ,  hole array

JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Conversion treatment  (WC08050J)

Reference (32)：

• 1)小野幸子 ; 軽金属, 60, 333(2010).
• 2) F. Keller, M. S. Hunter, D. L. Robinson ; J. Electrochem. Soc., 100, 411 (1953).
• 3) H. Masuda, K. Fukuda ; Science, 268, 1466 (1995).
• 4) D. Crouse, Y.-H. Lo, A. E. Miller, M. Crouse ; Appl. Phys. Lett., 76, 49 (2000).
• 5) S. Shingubara, O. Okino, Y. Murakami, H. Sakaue, T. Takahagi ; J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 1901 (2001).

Terms in the title (7)： ナノポーラス材料 ,  展開 ,  アノード酸化 ,  ポーラス ,  アルミナ皮膜 ,  シリコン ,  ナノ構造制御