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J-GLOBAL ID：201402255411765300   Reference number：14A1097754

PLD法によるSr₂SiO₄多結晶体ターゲットを用いたSr₂SiO₄薄膜のSi基板上への作製

Author (12)： IMANISHI KEIJI (兵庫県大) ,  TANIWAKI SHOTA (兵庫県大) ,  HOTTA YASUSHI (兵庫県大) ,  HOTTA YASUSHI (JST-CREST) ,  YOSHIDA HARUHIKO (兵庫県大) ,  YOSHIDA HARUHIKO (JST-CREST) ,  ARAFUNE KOJI (兵庫県大) ,  ARAFUNE KOJI (JST-CREST) ,  OGURA ATSUSHI (明治大) ,  OGURA ATSUSHI (JST-CREST) ,  SATO SHIN'ICHI (兵庫県大) ,  SATO SHIN'ICHI (JST-CREST)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 75th  Page： ROMBUNNO.17P-A11-11  Publication year： Sep. 01, 2014 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *laser deposition ,  polycrystal ,  *strontium silicate ,  insulating film ,  thin film growth ,  wafer ,  silicon ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  *pulsed laser deposition
Semi thesaurus term： silicon substrate

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (7)： PLD法 ,  Sr2SiO4 ,  多結晶体 ,  ターゲット ,  薄膜 ,  Si基板 ,  作製