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J-GLOBAL ID：201402256894754059   Reference number：14A0901922

Estimation of activation energy and surface reaction mechanism of chlorine neutral beam etching of GaAs for nanostructure fabrication

ナノ構造の製造のためGaAsの塩素中性ビームエッチングの活性化エネルギーの推定と表面反応機構

Author (8)： THOMAS C (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  THOMAS C. (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TAMURA Y. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAMURA Y (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  OKADA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HIGO A (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAMUKAWA S (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAMUKAWA S (JST-CREST, Tokyo, JPN)
Material： Journal of Physics. D. Applied Physics  (J Phys D)
Volume： 47  Issue： 27  Page： 275201,1-7  Publication year： Jul. 09, 2014 
JST Material Number： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： plotting ,  *gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  *chlorine ,  *neutral beam ,  *etching ,  substrate temperature ,  *activation energy ,  *RIE ,  surface reaction ,  nanostructure
Semi thesaurus term： Arrhenius plot ,  reactive ion etching

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： ナノ構造 ,  GaAs ,  塩素 ,  中性ビーム ,  エッチング ,  活性化エネルギー ,  推定 ,  表面反応