Art

J-GLOBAL ID：201402266693489719   Reference number：14A1019354

Radio-frequency plasma-excited molecular beam epitaxy growth of GaN on graphene/Si(100) substrates

高周波プラズマ励起分子線エピタキシャル法によるグラフェン/Si(100)基板上におけるGaNの成長

Author (12)： ARAKI Tsutomu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  UCHIMURA Satoru (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SAKAGUCHI Junichi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  FUJISHIMA Tatsuya (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  HSU Allen (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  KIM Ki Kang (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  PALACIOS Tomas (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  PESQUERA Amaia (Graphenea S.A., Donostia-San Sebastian, ESP) ,  CENTENO Alba (Graphenea S.A., Donostia-San Sebastian, ESP) ,  ZURUTUZA Amaia (Graphenea S.A., Donostia-San Sebastian, ESP)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 7  Issue： 7  Page： 071001.1-071001.3  Publication year： Jul. 2014 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,  plasma ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  substrate(plate) ,  silicon ,  carbon material ,  *hexagonal system ,  X-ray diffraction ,  rocking curve ,  FWHM ,  *photoluminescence ,  *cathodoluminescence ,  transmission electron microscope ,  micro structure ,  graphene
Semi thesaurus term： *plasma assisted MBE ,  radio frequency plasma ,  full-width-half-maximum

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (14)：

• X. Zhang, S. Chua, P. Li, K. Chong, and Z. Feng, Appl. Phys. Lett. 74, 1984 (1999).
• F. Schulze, A. Dadgar, J. Bläsing, and A. Krost, J. Cryst. Growth 272, 496 (2004).
• F. Schulze, A. Dadgar, J. Bläsing, T. Hempel, A. Diez, J. Christen, and A. Krost, J. Cryst. Growth 289, 485 (2006).
• G. N. Chaudhari, V. R. Chinchamaiatpure, and S. A. Ghosh, Am. J. Anal. Chem. 2, 984 (2011).
• J. W. Chung, J.-K. Lee, and T. Palacios, IEEE Electron Device Lett. 30, 1015 (2009).

Terms in the title (8)： 高周波プラズマ ,  励起 ,  分子線 ,  エピタキシャル ,  グラフェン ,  Si ,  GaN ,  成長