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J-GLOBAL ID：201402268502349036   Reference number：14A0413211

Enhanced Au induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO₂

SiO₂上の電子照射非晶質GeにおけるAu誘起横方向結晶化の向上

Author (9)： SAKIYAMA Shin ,  KANEKO Takahiro ,  OOTSUBO Takanobu ,  SAKAI Takatsugu ,  NAKASHIMA Kazutoshi ,  MOTO Kenta ,  YONEOKA Masashi ,  TAKAKURA Kenichiro ,  TSUNODA Isao
Material： Thin Solid Films
Volume： 557  Page： 151-154  Publication year： Apr. 30, 2014 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *amorphous semiconductor ,  *germanium ,  *electron irradiation ,  *crystallization ,  *epitaxy ,  annealing(heat treatment) ,  *gold ,  semiconductor thin film ,  silicon dioxide ,  point defect
Semi thesaurus term： 横方向結晶化 ,  金誘起結晶化 ,  *lateral growth ,  annealing treatment

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： SiO2 ,  電子照射 ,  非晶質 ,  Ge ,  Au ,  誘起 ,  横方向 ,  結晶化