Art

J-GLOBAL ID：201402272946932029   Reference number：13A1951596

Transfer-free fabrication of graphene field effect transistor arrays using solid-phase growth of graphene on a SiO₂/Si substrate

SiO₂/Si基板上のグラフェンの固相成長を使ったグラフェン電界効果トランジスタの移動がない作製

Author (4)： TAMAOKI Masato (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  IMAEDA Hideki (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  KISHIMOTO Shigeru (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  MIZUTANI Takashi (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 103  Issue： 18  Page： 183114-183114-3  Publication year： Oct. 28, 2013 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,  carbon material ,  silicon ,  silicon dioxide ,  *solid phase synthesis ,  substrate (plate) ,  current-voltage characteristic ,  carrier mobility ,  transmission characteristic ,  Nickel ,  Gold ,  graphitization ,  heat treatment ,  electric insulation ,  graphene ,  amorphous carbon
Semi thesaurus term： *graphene field effect transistor ,  amorphous carbon ,  graphitization

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： SiO2 ,  Si基板 ,  グラフェン ,  固相成長 ,  電界効果トランジスタ ,  作製