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J-GLOBAL ID：201402273583345815   Reference number：14A0455048

次世代高性能シリコン薄膜デバイス製造に向けた低温シリコン膜の研究開発(平成23年度)

Author (3)： FUKUDA HISASHI (室蘭工大) ,  UESUGI KATSUHIRO (室蘭工大) ,  SHIRO TAKASHI (帝人 融合技研)
Material： 室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告
Issue： 24  Page： 1-3  Publication year： Feb. 2014 
JST Material Number： L5514A  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,  thin film ,  fluorocarbon resin ,  *thin film transistor ,  poly(hexylthiophene) ,  memory (computer) ,  memory element ,  current-voltage characteristic ,  electric current ,  voltage ,  storage structure (computer) ,  organic semiconductor ,  polymer thin film ,  film production ,  free standing film
Semi thesaurus term： P3HT(polymer) ,  gate voltage ,  drain current ,  memory structure ,  *OTFT

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Memory units  (JC04060F)

Substance index (1)： Decafluoro-3-oxa-1,6-heptadiene

Reference (3)：

• 八瀬清志著,「有機エレクトロニクスにおける分子配向 技術」,(株)シーエムシー出版,2007,pp.8
• 尾川 元,杉山徳英,神田眞宏,岡野邦子,Reports Res. Lab. Asahi Glass Co., Ltd.,55,2005,pp.47-51
• 田口裕一,伊東栄次,宮入圭一,電子情報通信学会信学技報 IEICE Technical Report CME2005-81,2005,pp.5-10

Terms in the title (7)： 次世代 ,  高性能 ,  シリコン薄膜 ,  低温 ,  シリコン膜 ,  研究 ,  開発