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J-GLOBAL ID：201402276125736022   Reference number：14A1100441

SrO終端のSi(100)2×1再構成基板上に成長したSr_xSiO_x+2薄膜の電気特性

Author (12)： TANIWAKI SHOTA (兵庫県大) ,  IMANISHI KEIJI (兵庫県大) ,  HOTTA YASUSHI (兵庫県大) ,  HOTTA YASUSHI (JST-CREST) ,  YOSHIDA HARUHIKO (兵庫県大) ,  YOSHIDA HARUHIKO (JST-CREST) ,  ARAFUNE KOJI (兵庫県大) ,  ARAFUNE KOJI (JST-CREST) ,  OGURA ATSUSHI (明治大) ,  OGURA ATSUSHI (JST-CREST) ,  SATO SHIN'ICHI (兵庫県大) ,  SATO SHIN'ICHI (JST-CREST)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 75th  Page： ROMBUNNO.19P-A25-16  Publication year： Sep. 01, 2014 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *strontium oxide ,  *termination ,  *wafer ,  *surface reconstruction ,  thin film ,  electrical characteristic ,  *passivation ,  electric charge ,  *strontium silicate ,  *surface level ,  RHEED ,  annealing(heat treatment)
Semi thesaurus term： *silicon substrate ,  fixed charge ,  post-annealing

JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Terms in the title (7)： SrO ,  終端 ,  Si ,  再構成 ,  成長 ,  薄膜 ,  電気特性