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J-GLOBAL ID：201402277162196301   Reference number：14A1146599

Analysis of Grinding Mechanism of Silicon Wafer by Using Molecular Dynamics

分子動力学によるシリコンウエハ研削メカニズムの解析

Author (1)： SHIMIZU JUN (茨城大学工学部)
Material： 精密工学会誌(Web)  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering (Web))
Volume： 80  Issue： 9  Page： 811-814 (J-STAGE)  Publication year： 2014 
JST Material Number： U0462A  ISSN： 1882-675X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *molecular dynamics ,  interatomic potential ,  *wafer ,  abrasive grain ,  *grinding ,  adhesion(surface chemistry) ,  tool wear ,  interaction ,  electronic component
Semi thesaurus term： Si wafer ,  diamond abrasive grain ,  adhesion

JST classification (3)： Models of strong interactions  (BF02040W) ,  Electric and electronic parts in general  (NA05010H) ,  Grinding  (QC03000R)

Reference (16)：

• 1) V. Kripesh, S. E. Yoon, V. P. Ganesh, N. Khan, M. D. Rotaru, W. Fang and M. K. Iyer : Three Dimensional System-in-package Using Stacked Silicon Platform Technology, IEEE Trans. Adv. Pack., 28, 3 (2005) 377-385.
• 2) L. Zhou, Y. B. Tian, H. Huang, H. Sato and J. Shimizu : A Study on the Diamond Grinding of Ultra-thin Silicon Wafers, Proc. of IMechE, Part B : J. Eng. Man., 226, 1 (2012) 66-75.
• 3) H. Eda, L. Zhou, H. Nakano, R. Kondo and J. Shimizu : Development of Single Step Grinding System for Large Scale φ300mm Si Wafer : A Total Integrated Fixed-abrasive Solution, Annals of the CIRP, 50, 1 (2001) 225-228.
• 4) 周立波,河合真二,本田将之,清水淳,江田弘,焼田和明:SiウエハのChemo-Mechanical-Grinding (CMG) に関する研究—第1報:CMG砥石の開発—,精密工学会誌,68,12 (2002) 1559-1563.
• 5) L. Zhou, H. Eda, J. Shimizu, S. Kamiya, H. Iwase and S. Kimura : Defect-free Fabrication for Single Crystal Silicon Substrate by Chemo-Mechanical Grinding, Annals of the CIRP, 55, 1 (2006) 313-316.

Terms in the title (5)： 分子動力学 ,  シリコンウエハ ,  研削 ,  メカニズム ,  解析